PCB メーカーは、回路基板の基板の長所と短所を特定する方法を理解できるようにします。

顧客が PCB 基板工場を選択する際、PCB 基板材料の研究を設計することはほとんどありませんが、基板工場での処理も、通信の単純な積層プロセス構造であることがほとんどです。 jbpcb は、実際に、PCB基板工場製品の要件を満たしているかどうか、コストの考慮、プロセス技術の評価に加えて、PCB 基板の電気的性能のより重要な評価があります。

優れた製品は、品質と性能を管理するために最も基本的な物理ハードウェアから作られている必要があります。通常は、顧客が PCB 基板テスト検証プログラムを提出し、PCB メーカーが完全なテストレポートの要件に従うようにします。または、プロトタイプボードがお客様自身のテストに提供された後、私たちに良い仕事をさせてください。次にお話したいのは、一般的に使用される PCB 基板の電気化学試験方法です。辛抱強く読んでいただければ、必ず得ることができると信じています。

I. 表面絶縁抵抗

これは非常にわかりやすい、絶縁基板表面の絶縁抵抗、隣接するワイヤの絶縁抵抗は十分に高くなければなりません。サーキット機能を発揮するため。電極対を千鳥状に接続し、高温高湿環境下で一定の直流電圧を与え、長時間（1～1000時間）の試験を行った後、瞬間的な短絡現象が発生するかどうかを観察します。ラインに接続して静的漏れ電流を測定すると、基板の表面絶縁抵抗は R=U/I に従って計算できます。

表面絶縁抵抗 (SIR) は、アセンブリの信頼性に対する汚染物質の影響を評価するために広く使用されています。他の方法と比較した場合、SIR の利点は、局所的な汚染の検出に加えて、PCB の信頼性に対するイオン性および非イオン性汚染物質の影響も測定できることです。これは、他の方法よりもはるかに効果的です (清浄度など)。試験、銀クロメート試験など）を効果的かつ便利に行うことができます。

「マルチフィンガー」インターレース密線グラフィックであるコム回路は、基板の清浄度、グリーンオイル絶縁など、特殊なライングラフィックの高電圧テストに使用できます。

II.イオンの移動

プリント基板の電極間でイオンマイグレーションが発生し、絶縁劣化を起こす現象です。通常、電圧が印加された加湿状態、つまり電極間に電界が存在し、基板下の絶縁ギャップに湿気が存在する状態で、イオン性物質またはイオンを含む物質によって汚染された場合に PCB 基板内で発生します。条件により、金属がイオン化して反対側の電極に移動し（陰極から陽極に移動）、相対的に電極が元の金属に還元され、樹枝状金属が析出する現象（錫ウィスカーと同様、容易に発生します）短絡による)、イオン移動として知られています。 )、イオンマイグレーションと呼ばれます。

イオンマイグレーションは非常に脆く、通常は通電の瞬間に発生する電流によりイオンマイグレーション自体が溶融して消滅します。

電子移動

基板材料のガラス繊維では、基板が高温高湿および長時間の電圧印加にさらされると、2本の金属導体とガラスの間で「エレクトロンマイグレーション」（CAF）と呼ばれるゆっくりとしたリーク現象が発生します。ファイバーが接続部にまたがっている状態。これを絶縁不良と呼びます。

銀イオンの移行

銀メッキピンや銀メッキスルーホール（STH）などの導体間で、高湿度や隣り合う導体間の電位差が長時間続くと銀イオンが結晶化し、数ミルの銀イオンが発生する現象です。 、基板の絶縁劣化や漏電につながる可能性があります。

抵抗ドリフト

1000時間のエージング試験後の抵抗器の抵抗値の劣化率。

移住

絶縁基板が物体や表面で「金属マイグレーション」を起こしたとき、一定時間内に示される移動距離をマイグレーション速度といいます。

導電性陽極線

導電性陽極フィラメント (CAF) の現象は、主にポリエチレン グリコールを含むフラックスで処理された基板で発生します。研究によると、はんだ付けプロセス中に基板の温度がエポキシ樹脂のガラス転移温度を超えると、ポリエチレングリコールがエポキシ樹脂中に拡散し、CAF の増加により基板が水蒸気を吸着しやすくなることがわかっています。ガラス繊維の表面からエポキシ樹脂が剥離します。

はんだ付けプロセス中に FR-4 基板にポリエチレングリコールが吸着すると、基板の SIR 値が低下します。さらに、ポリエチレングリコールを含むフラックスを CAF とともに使用すると、基材の SIR 値も低下します。

上記のテスト オプションの実装を通じて、ほとんどの場合、物理的ハードウェアの底部を確保するための適切な「基礎」を備えた基板の電気的特性と化学的特性を確認できます。これに基づいて、PCB メーカーと協力して PCB 処理ルールなどを開発します。技術評価。